%0 Journal Article
%T Characterization of Zn Composition in Cd1-xZnxTe by Room Temperature Micro-Photoluminescence Mapping<br>Cd_(1-x)Zn_xTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征
%A LI Zhi feng
%A LU Wei
%A CAI Wei ying
%A HUANG Gen sheng YANG Jian rong
%A HE li
%A SHEN Xue chu
%A <br>李志锋
%A 陆卫
%A 蔡炜颖
%A 黄根生
%A 杨建荣
%A 何力
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 用显微光致发光 (μ- PL)平面扫描的方法对 Cd Zn Te(CZT)晶片进行了研究 .分别在 19μm× 16 μm的缺陷区域进行微米尺度和 7.9mm× 6 .0 mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点 PL 测量 .对测得每一点的 PL 谱进行了拟合 ,得到测量点的禁带宽度等参数 ,其平面分布对应于 CZT中 Zn的组分分布 .统计的结果给出禁带宽度的不均匀性 .对样品进行溴抛光后重复类似的测量 ,结果表明禁带宽度的均匀性大为改善 ,接近了材料组分的真实分布
%K CdZnTe
%K Zn composition
%K planar distribution
%K micro
%K photoluminescence
%K scanning<br>CdZnTe
%K 平面分布
%K 显微光致发光
%K 平面扫描
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=065DB62250BF3166&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=0B39A22176CE99FB&sid=6425DAE0271BB751&eid=7EBE588F611589FC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0