%0 Journal Article
%T AlN　和　SiO_xN_y　薄膜与其　GaAs　衬底间界面应力的喇曼光谱研究
%A 侯永田
%A 张树霖
%A 高玉芝
%A 尹红坤
%A 宁宝俊
%A 李婷
%A 张利春
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文用喇曼散射方法研究了在ＧａＡｓ衬底上用Ｓ－枪磁控反应溅射的ＡｌＮ和ＰＥＣＶＤ淀积的ＳｉＯｘＮｙ薄膜的界面应力，并研究了这两种薄膜在Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温热处理对界面应力的影响．结果表明，与ＳｉＯｘＮｙ薄膜不同，在ＧａＡｓ衬底上制备的ＡｌＮ薄膜，其界面应力很小，而且经Ｎ２和Ａｒ气氛下的高温快速热退火，仍具有较好的稳定性，从而表明ＡｌＮ是ＧａＡｓ集成电路技术中一种较好的绝缘介质、钝化层和保护材料．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F03AF499E6465C91&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=59906B3B2830C2C5&sid=AF407E3178C0B145&eid=FCB110411B6339D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0