%0 Journal Article
%T 低温SDB技术研究及硅表面吸附态的影响
%A 焦继伟
%A 陆德仁
%A 王渭源
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 研究了低温（５００℃以下）硅一硅直接键合（ＳＤＢ）技术，在低至１２０℃条件下获得了优良的键合结果，其键合强度可达到１０ＭＰａ以上．结合现有ＳＩＭＳ和ＴＤＳ测试结果，研究了硅表面吸附态对ＳＤＢ的影响，并对低温ＳＤＢ的可能机制进行了讨论．
%K SDB
%K 低温
%K 硅表面吸附态
%K 半导体器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7BE70FA506AD93F2&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=FC6FCA5A7559F1FB&eid=B3645A659773B73C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3