%0 Journal Article
%T 杂质对离子注入射程端缺陷的影响
%A 鲍希茂
%A 华雪梅
%A 袁远
%A 洪建明
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文研究了注入杂质对预非晶化硅的射程端缺陷的影响.提出:在固相外延时,来自非晶层内的空位与来自射程端的硅间隙原子形成相向扩散流.注入的杂质可以俘获点缺陷,从而影响了点缺陷的相向扩散流,P促进射程末端缺陷的分解,而B促进其聚结.
%K 离子注入
%K 硅
%K 非晶化
%K 射程
%K 缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A57EEC9681C38F36&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=8C267C8DC97FEEEF&eid=E3C3E274D87A8C16&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4