%0 Journal Article
%T GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计
%A 张敬明
%A 徐俊英
%A 肖建伟
%A 徐遵图
%A 李立康
%A 杨国文
%A 曾安
%A 钱毅
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.
%K 量子阱
%K 激光器
%K 结构设计
%K 波长
%K 阈值
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3AD15C48FD0B409F&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=788931E6318420A3&eid=3FC4D669D19FF0C6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=1