%0 Journal Article
%T 辉光放电电子束掺杂硼浅结
%A 李秀琼
%A 王纯
%A 马祥彬
%A 杨军
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 一种新的半导体掺杂方法——电子束掺杂法成功地用于实现掺硼浅结.它是用辉光放电电子束辐照涂敷杂质源的半导体表面,形成高浓度(≥10~(20)/cm~3)、浅结(≤0.1μm)掺杂层.损伤比离子注入的小.试制成功的太阳敏感器件性能优良.
%K 电子束掺杂法
%K 硼
%K 浅结
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=16D5B21A1E343ED2&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=A6683C8C0EB9BCA7&eid=30F3EEEA29E34EE7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5