%0 Journal Article
%T n型硅中铂和钯的电学性质
%A 孙恒慧
%A 盛篪
%A 陈巧珍
%A 冯冠华
%A 袁瑞舜
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 本文用瞬态电容、热激电容和热激电流方法测量n型硅中铂和钯的电学性质.n型硅中铂的二个能级是E_c-0.22eV和E_c-0.30eV.掺钯的n型硅中亦存在二个能级为E_c-0.23eV和 E_c-0.29eV.第二个深能级 E_c-0.29eV由于它的位置和浓度与高温淬火引起的能级相仿,所以这一能级的起因尚需进一步研究.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2113F39931E89526576C3C9E4EF5361F&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D767283A3B658885&eid=8477411EEDB08A86&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0