%0 Journal Article
%T 锑化铟单晶中α位错的运动速度
%A 俞振中
%A 金刚
%A 陈新强
%A 马可军
%A 曹菊英
%A 许平
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 采用二次腐蚀技术研究了纯净及掺杂晶体内α位错的运动速度与浓度及应力的关系.实验表明,InSb晶体内的位错运动速度具有明显的热激活性质.与纯样品相比,N型掺杂晶体的激活能较小,位错速度相应增加,而在P型掺杂晶体内,激活能值明显增加,位错速度显著减小.依据α位错受主性质,对实验现象进行了解释.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=18D9B2A6861522F7DBB23363D00AA302&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=0B39A22176CE99FB&sid=869807E2D7BED9EC&eid=10F298ED9F164662&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0