%0 Journal Article
%T Spectroellipsometric Study of Silicon-on-Insulator by Oxygen Ion Implantation<br>氧离子注入硅SOI结构的椭偏谱研究
%A Liang Zhongning/
%A <br>梁中宁
%A 莫党
%A 卢殿通
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 本文利用椭偏光谱法测量了能量为200keV、剂量为2×10~(18)cm~(-2)的~(16)O~+注入Si以及退火样品.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SIMOX结构的各层厚度以及各层中的主要组份.提出了从椭偏谱粗略估算表层Si及埋层SiO_2厚度的简单方法.研究结果表明,这种条件下的O~+注入Si可以形成SIMOX结构,经高温退火后,表层Si是较完整的单晶层,埋层SiO_2基本没有Si聚积物.椭偏谱的结果与背散射、扩展电阻测量和红外吸收光谱等结果作了比较.
%K Ellipsometry
%K SOI structure
%K SIMOX structure
%K Multilayer moded
%K Effective medium approximation
%K Ion implantation<br>椭偏光法
%K 离子注入
%K SOI结构
%K 硅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2EC910555E3B578C&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7C72DBC13F2D71EC&eid=B0EBA60720995721&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2