%0 Journal Article
%T 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
%A 牛国富
%A 阮刚
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10~(18)cm~(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。
%K 硅膜
%K 二氧化硅
%K SOI结构
%K 埋层
%K SIMOX
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=93A5C7E74DD3ACC2&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=03EE8EDD44A3D4BE&eid=C2053D4E59904B8A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1