%0 Journal Article
%T 掩膜层生长导致n-GaAs表面化学组分的变化对微波器件性能的影响
%A 陈克铭
%A 王森
%A 陈维德
%A 方浦明
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 利用AES和ESCA能谱仪和离子剥离相结合的方法,研究了不同温度下在n型GaAs上淀积SiO_2掩膜层的n-GaAs(100)表面化学组分的变化对形成肖特基结和欧姆接触的影响.在这基础上提出,通常淀积SiO_2过程是以淀积SiO_2为主,并伴随着GaAs本体氧化和As-O 键中的As挥发和氧转移到Ga上来形成附加的Ga_2O_3的两个物理过程所组成.解释了400℃淀积SiO_2掩膜层的3mm混频器各项性能优于700℃淀积SiO_2掩膜层的4mm混频器,而后者性能不够理想的原因是由于金属/n-GaAs界面处仍有β-Ga_2O_3而引起较多的界面缺陷所致.在An-Ge-Ni/GaAs界面处很薄的 β-Ga_2O_3对 An-Ce-Ni欧姆接触性能影响不大.但长期存放后在Au-Ge-Ni表面上形成的Ga_2O_3对欧姆接触就有影响.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DE1A2741BED74015D3DAB87C8E646C97&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=9DC563A0FEFC04F9&eid=5A6705FDACED0BF9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0