%0 Journal Article
%T 一种用非晶硅作绝缘材料的MISS器件
%A 王万录
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文对具有半绝缘性a-Si:H薄层的MISS器件进行了实验研究.实验发现它具有更高的光敏性.在a-Si型的MISS中也呈现出双态特性,并将其解释为n区的电荷存贮效应.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=20654716C653E23F215673C5824411A4&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=38B194292C032A66&sid=85002451B65CE0D1&eid=7737D2F848706113&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0