%0 Journal Article
%T 用DLTS研究注氧硅中深中心缺陷
%A 张玉峰
%A 张丽珠
%A 吴书祥
%A 杜永昌
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> 近年来,离子注入在半导体中产生的缺陷及其退火行为被广泛地研究,DLTS技术提供了一个高灵敏度测量低浓度深中心缺陷的方法本文用DLTS技术测量了注氧硅中缺陷的热退火和CW-CO_2激光退火行为.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=838762F29686931C8759AE67887C9ADF&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=4B1FFFA116F7AE3B&eid=01622E3E475F966C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0