%0 Journal Article
%T 注氮硅的光学性质
%A 许振嘉
%A 江德生
%A 孙伯康
%A 刘继光
%A 张泽华
%A 刘江夏
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 用红外吸收光谱、拉曼光谱、反射光谱、椭偏光法等研究了注氮硅的光学性质.注入条件为(1×10~(14)-1×10~(17))N·cm~(-2),70keV.研究结果表明:氮的电激活率很低,这与氮-硅原子间的络合以及残留的注入损伤有关.当注氮剂量≥1×10~(16)N·cm~(-2)时,实验结果表明,形成了无定形 Si_3N_4或硅氮络合物颗粒团.与此相联系,氮经热处理后不易产生外扩散.800℃,1小时退火,损伤也不易消除.注氮剂量约为1×10~6 N·cm~(-12)时,注入层的损伤纵向分布具有如下特征:表面层有一层很薄的紊乱区,之后有一轻损伤区,最后为饱和损伤区.在饱和损伤区与衬底之间存在较陡的边界.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2D78C0CFBA179D29&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=38B194292C032A66&sid=4290346F7268639E&eid=FDC7AF55F77D8CD4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0