%0 Journal Article
%T GaAs中碳的红外吸收及其室温浓度测量
%A 江德生
%A 宋春英
%A 郑捷飞
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 研究了GaAs中杂质碳所引起的局域模振动(LVM)吸收的温度依赖关系,观测到了LVM吸收带线形、频率位置、吸收强度等的变化.在室温下红外吸收带发生温度展宽,精细结构消失,但劳仑兹线形的吸收带半宽仍很窄,仅约 1cm~(-1),基本上决定于Ga的“同位素最近邻效应”.由此得到了室温下测量GaAs中碳杂质浓度的方法.此外,对一系列在不同条件下生长的 LEC GaAs样品中碳浓度进行了测量和讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3EB13F36B52E7CAB&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=6AC2A205FBB0EF23&eid=0401E2DB1F51F8DE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0