%0 Journal Article
%T Ag在Si(111)面上吸附的理论研究
%A 车静光
%A 张开明
%A 谢希德
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文用集团模型和电荷自洽的推广的休克尔方法,对 Ag在Si(111)面上覆盖度较高的情况作了研究.得到了 Ag集团在 Si(111)面上稳定的吸附构型和与一些UPS实验结果符合得较好的电子态密度.对Ag在Si(111)面形成的凝聚相也进行了讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0F237885E65D1997&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=ECE8E54D6034F642&eid=F4B561950EE1D31A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0