%0 Journal Article
%T 780℃下液相外延生长周Al_xGa_(1-x)As的生长和掺杂特性
%A 余金中
%A 岩井莊八
%A 青柳克信
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 我们研究了780℃下液相外延生长Al_xGa_(1-x)As的生长特性和掺杂特性.本文给出了各种不同x 值的Al_xGa_(1-x)As的生长溶液组分的经验公式,测定了不同x值时的生长速率及掺Mg、Ge、Te、Sn样品的载流子浓度同x值的依赖关系.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F01FF70DE9FD2C8988E8434319096F75&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=AE09EACBCD1B2A13&eid=B344543C2864D684&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0