%0 Journal Article
%T Damage Annealing and Impurity Density Distribution of As+/N2+ Co-Implantation Si<br>As~+/N_2~+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布
%A Han Yu
%A Xiao Hongfei
%A Gao Yajun
%A Ma Delu
%A <br>韩宇
%A 肖鸿飞
%A 高雅君
%A 马德录
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用双晶X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的As+ / N2 + 组合离子注入Si的衍射曲线,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入的多层模型,对衍射曲线进行拟合,得到了晶格应变随注入深度的分布及辐射损伤分布.在5 0 0～90 0℃下进行等时热退火,对辐射损伤经退火的晶格恢复进行了研究.用L SS理论计算了同样注入条件下的杂质浓度分布,并对二者进行了比较分析
%K co-implanted
%K annealing
%K DCD
%K lattice strain
%K impurity density<br>组合离子注入
%K 双晶X射线衍射
%K 晶格应变
%K 退火
%K 杂质浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=21BFEE3969CA5A81&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=E158A972A605785F&sid=0BD4FAD4A90498AB&eid=87545994EC2C1F12&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11