%0 Journal Article %T 二维非等温的分布晶体管模型 %A 高光渤 %A 吴武臣 %J 半导体学报 %D 1983 %I %X 本文提出了一个考虑了晶体管热电反馈效应的分布晶体管直流模型,称之为“二维非等温的分布晶体管模型”. 本模型考虑了基区高注入效应、Kirk效应以及由内基区电阻、发射极金属化电极薄层电阻所引起的电流横向及纵向集边效应,并计入了晶体管内温度分布的不均匀性对上述诸效应的影响. 借助计算机,利用下降法求解了描述本模型热电特性的非线性方程组,计算结果给出了晶体管发射区内温度、电流的二维分布数值,从而得到了晶体管热电反馈效应的定量描述,且理论结果与实验吻合良好. 利用本模型可进行功率晶体管的计算机辅助设计,预测功率晶体管的安全工作区并指导器件的可靠性设计. %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=61C55FE3AC058E33E6B00269E570948A&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=3E3EF0DB5E6F2DA9&eid=869B6F3117981EC4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0