%0 Journal Article
%T 在掺Si GaAs单晶中Ga小晶面生长区的界区结构状态的研究
%A 蒋四南
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 利用X射线技术研究了掺Si GaAs单晶的 Ga 小晶面生长区 (S区)和非小晶面生长区(N区)的界区结构状态.在同一锭条中,分别切取(100)、(011)和(111)三个晶片.对每个晶片摄取不同衍射矢量的形貌相.实验观测到S、N区有一条明显的交界区.在界区呈现(hkl)和((h|-)(k|-)(l|-))的衍射强度互补.研究结果表明:在S、N交界区存在晶格弯曲.弯曲晶面接近(111)面并使(220)晶面的取向变化最大.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D669D7695C2F8780058E0383BEE86F63&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=E158A972A605785F&sid=CAA7BAE04CB631A1&eid=C1B34927D429E92F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0