%0 Journal Article
%T 由电容温度关系分析HgCdTe深能级特性
%A 童斐明
%A 杨秀珍
%A 王戎兴
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文报道 Hg Cd Te深能级的实验研究,对合金组分 x=0.21-0.28的Hg_(1-x)CdxTe光二极管作了测量.用P-N结电容随温度变化关系分析了陷阱激活能和密度.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=04D197B6AF7F5F09&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=38B194292C032A66&sid=F416A9924F23B020&eid=85002451B65CE0D1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0