%0 Journal Article
%T 碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系
%A 张素英
%A 乔怡敏
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 在28-160K温度范围内测量了液相外延制备的n-PbTe/p-PbSnTe异质结构二极管的零偏压结电阻面积乘积R_oA.采用通常的p-n结模型计算了R_oA的温度关系,并与实验曲线进行比较,结果表明:对于掺杂浓度约10~(17)cm~(-3)、77K的半峰值截止波长为11.5μm的典型二极管,在低于50K时R_oA主要受隧道电流限制.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3ABB95D08755185A11D976E3F12568C8&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1D0FA33DA02ABACD&eid=5C3443B19473A746&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0