%0 Journal Article
%T GD Si:H薄膜的结构和电传导性质
%A 沈宗雍
%A 吴汝麟
%A 何宇亮
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随T_s升高而长大.实验结果表明:未掺杂的微晶薄膜(平均晶粒大小d<200 (A|°)),如同无定形的Si:H 薄膜一样能够用Mott-Danis公式来解释它们的电传导性质.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D517079DCBE32672B931A2DDB68BC477&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=38B194292C032A66&sid=119B6C0AA09DE6B9&eid=407C905D8F0449C4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0