%0 Journal Article
%T HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化
%A 陆德仁
%A 王缨
%A 王其闵
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 用Q-t,TVS,C-V和TSIC方法研究了HCl氧化物MOS结构中的钠离子纯化和陷阱能量分布.在含有很干燥的 0-10％ HCl的氧气氛中进行硅的热氧化,温度 1160℃,时间35分钟,然后制成MOS结构.当钠的沾污范围为10~(11)到2.5 ×10~(15)离子/厘米~2时,大于4％的HCl氧化物的钝化效率为 99.5％到 99.99％。在 HCl MOS结构的硅边有两种陷阱态:带电态和中性态,中性态的陷阱能量依赖于HCl的浓度和BTS处理时的温度和电场强度.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=251674EA87740D40CF063E744598DC78&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=38B194292C032A66&sid=88D36036CFF69B3C&eid=DFEE4E8C33C95CEF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0