%0 Journal Article
%T In/InP(110)及P/InP(110)表面电子态
%A 徐至中
%A 沈静志
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 以 In/InP(110)及 P/InP(110)表面模拟富 In及富P的InP表面,采用半经验的紧束缚方法计算了 In/InP(110)及 P/InP(110)表面的电子能态.并与实验结果相比较,讨论了InP(110)表面化学成分偏析对费米能级钉扎的影响.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DF38EB36728C7B65&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=94C357A881DFC066&sid=AF4A4411BB448A36&eid=2E15A588990CC690&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0