%0 Journal Article
%T SOS外延膜的光吸收研究
%A 章熙康
%A 顾隆道
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X <正> SOS(蓝宝石上外延硅)膜是异质外延,由于点阵失配、外延后冷却时产生的热应力及自掺杂效应,外延膜的结晶质量及半导体性能对于衬底制备及外延工艺参数非常敏感.Druminski等根据SOS膜的光谱反射吸收测量,提出用一光吸收因子F_A来表征硅膜的结晶质量.F_A定义为
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FDAB010338E3AA7B66BE3A6642C0B68C&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=9CA95D22FC1D537C&eid=C812B90E96151014&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0