%0 Journal Article
%T SiCl_4/SiH_4-NH_3体系的低压化学蒸汽淀积(LPCVD)氮化硅薄膜研究
%A 王季陶
%A 承焕生
%A 吴宪平
%A 吕以金
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X <正> 氮化硅薄膜在大规模集成电路制造过程中占有一定的地位.目前国内一般是采用硅烧和氨做原料,用高频加热的方法来淀积氮化硅薄膜.这种高频常压法工艺产量低,耗电多,薄膜均匀性也比较差.从1977年以来,国外基本上普遍推广LPCVD新工艺代替了以往的常压工艺.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F214500DEC119ED2ED72932CAF0B6F6E&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=46CB27789995047D&eid=E203FB1A272C9DD2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0