%0 Journal Article
%T 掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究
%A 何宏家
%A 曹福年
%A 范缇文
%A 白玉珂
%A 费雪英
%A 王凤莲
%J 半导体学报
%D 1981
%I 
%X 本文用化学腐蚀、阳极腐蚀法、光学显微镜和透射电子显微镜研究了水平生长的掺Te-GaAs单晶的微缺陷和微沉淀物.获得了微缺陷与位错的相对分布关系,发现这些缺陷及其存在形式与样品的载流子浓度有关.这些微缺陷主要是附有沉淀颗粒的非本征层错和非本征Frank环.并且得到了腐蚀显示的小丘和s坑与透射电子显微镜观察到的缺陷群相对应的关系.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1036CB8E76EFCE2D399898D01B5CF4BC&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=0B39A22176CE99FB&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DF92D298D3FF1E6E&eid=FC0714F8D2EB605D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0