%0 Journal Article
%T Research on Optical Measurement of Carrier Concentration of Heavily-Doped III-V Compound Semiconductors<br>重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究
%A Xu Jinmin/Test Centre
%A Nankai University
%A TianjingShao Liying/Test Centre
%A Nankai University
%A TianjingWu Min/Test Centre
%A Nankai University
%A Tianjing
%A <br>徐谨民
%A 邵丽影
%A 吴敏
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω_1与ω_2之和与ω_p间的函数关系.并应用此关系对不同载流子浓度的重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs和Inp样品进行实验上的验证,获得了满意的结果.
%K Ⅲ－Ⅴ族化物
%K 半导体
%K 载流子
%K 浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=71FE90CD1688F3075A81856DDB808A86&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=59906B3B2830C2C5&sid=2F26E27A20AEB31F&eid=4986C0B14AED27B4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2