%0 Journal Article
%T InPδ掺杂的输运特性
%A 程文超
%A A.Zrenner
%A 叶秋怡
%A F.Koch
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参数,观察到填充因子v=2的量子Hall平台和负微分电阻现象,建立和证实了δ掺杂样品的热电子传输模型.
%K 掺杂
%K 二维特性
%K 热电子传输
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=71FE90CD1688F307E0FDC22ABAE3D963&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=59906B3B2830C2C5&sid=745C7FAEA69986C7&eid=412FA1328E0CB9E9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0