%0 Journal Article
%T GaAs IC逻辑门静态特性的分析
%A 史常忻
%A 余兴
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X <正> GaAs数字电路具有高速数据处理能力,在高速、低耗VLSI中占有重要地位.由于单级逻辑门为其基本单元,敌研究它的特性有重要意义.已报道的设计方法中,采用等效电路模拟其电路参数.本文直接从器件的 Shockley模型出发,考虑到漏、源电阻(包
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4866F5BF63395BB17CD6B35365EB9B36&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=5824536C90612D67&eid=68FDAD96FCC0AB1B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0