%0 Journal Article
%T CWCO_2激光在硅中引入的位错深能谱研究
%A 张新宇
%A 鲍希茂
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 用高功率密度的CWCO_2激光扫描在硅中引入了较单纯清洁的位错,并利用DLTS技术对其深能级谱进行了测量.在p型和n型硅中分别测到 E_v+0.33eV和 E_c-0.37eV,E_c-0.50eV三个深能级谱峰.实验结果表明,位错线上的断键是重构的,重构后只有少部分位错态是电活性的.氢等离子体退火对电活性的位错态有显著的钝化作用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4A208C3405BDB86A&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=5DD21DF25EF52D4A&eid=7C13E30F5EDBE7AB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0