%0 Journal Article
%T 离子注入抗蚀技术
%A 韩阶平
%A 王培大
%A 马俊如
%A 王守武
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文提出了一种新的微图形加工方法——离子注入抗蚀技术.我们发现,当注入到二氧化硅中的离子剂量达到一定值时,只要采用适当的腐蚀方法,注入区的二氧化硅具有很好的抗蚀作用.此结果与文献所报道的离子注入增强腐蚀正好相反.本文研究了不同离子注入剂量、能量与二氧化硅腐蚀速率的关系.找到了较好的工艺条件,腐蚀出了清晰的图形,并对其抗蚀的原因进行了初步探讨.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2EF1D56B2CE7C0A7&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=50B6AC44200581A5&eid=D33D61F62E4C72A7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0