%0 Journal Article
%T Si_3N_4膜气相淀积的最佳工艺条件的选择和应用
%A 阮传土
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文通过对LPCVD生长高温Si_3N_4膜的反应过程和机理进行了详细的分析,并着重讨论了反应源在一定的温度分布、压力和气流条件下,进行化学气相淀积时的各种关系,然后通过正交试验方法,找出最佳的温度分布、压力和气流的工艺条件,获得了质量高、均匀性好的Si_3N_4膜.并达到了国际上同类产品的先进水平.对一年多来在LPCVD生长近四万片的Si_3N_4膜用于双极型器件中,与常压CVD作了对比,Si_3N_4膜的合格率提高了33.2％,生产效率提高了一个数量级以上,对器件的合格率和可靠性有明显的贡献,已取得了显著的经济效益.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C5AFFC97B9F02E56&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=250DF325A002B9CC&eid=826ED638BDB6F0D0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0