%0 Journal Article
%T GaAs MESFET单片集成电路工艺研究
%A 王立模
%A 罗浩平
%A 李其忠
%A 杨凤臣
%A 江锋
%A 瞿志仁
%A 陈凌云
%A 马洪芳
%J 半导体学报
%D 1982
%I 
%X 用缓冲场效应晶体管逻辑(BFL)电路,研究了GaAs MES FET单片集成电路的工艺.为提高单片电路的集成度,给出了设计平面器件最小欧姆接触长度的直读曲线.对磷酸系腐蚀液的工艺特性进行了研究,并与其他几种常用的腐蚀液进行了比较.采用盐酸浸泡法结合栅区深腐蚀技术,明显地改善了肖特基势垒结的特性.利用俄歇能谱仪对Au-Ti-GaAs肖特基势垒结的热退化失效进行了分析,并提出了改善措施.已制出管芯平均传输时延小于100ps的GaAs单片集成门电路.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2F375831ACFC0CD1E7D5E8526EA2AC79&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=38B194292C032A66&iid=38B194292C032A66&sid=8B59EA573021D671&eid=F8035C8B7D8A4264&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0