%0 Journal Article
%T 硼离子注入硅的剖面分布
%A 李国辉
%A 王兴民
%A 卢志恒
%A 张通和
%A 田淑芸
%J 半导体学报
%D 1983
%I 
%X 本文研究了硼离子注入硅的载流子浓度分布.实验表明,载流子浓度分布可以近似用线性扩散方程的解来描述.因此,通过结深的实验值得到了一套随注入剂量,退火温度和时间变化的扩散系数.用这套扩散系数又可以计算出能量 40-400keV,剂量5×10~(13)-1×10~(15)cm~(-2),退火温度900℃-1100℃,退火时间15分-2 小时这个范围内的载流子浓度分布.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=933A845496F874C01225AF93B6DEBB04&yid=A7F20A391020FDEE&vid=E158A972A605785F&iid=E158A972A605785F&sid=5F8BAECF36EB55E2&eid=9C82B18080268586&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0