%0 Journal Article
%T 用AES和XPS技术研究半绝缘多晶硅薄膜
%A 王云珍
%A 蒋长根
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文用俄歇电子能谱仪(AES)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜中硅的化学价态.通过对Si LVV俄歇谱谱线形状和位移以及Si(2p)芯态峰位移的分析,揭示了SIPOS膜是由元素Si、SiO和SiO_2组成.经过1100℃高温退火的SIPOS 膜经历了一个再结构过程——SiO_2成份增强和SiO向Si_2O_3的转变.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4CC746D31AC2AFDE&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=6341CCF6B158C5F9&eid=ED9DF3402785F68D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0