%0 Journal Article
%T 电子俘获对φb和热电子流的影响
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文从泊松方程出发,考虑了二氧化硅中电子俘获的影响,导出硅-二氧化硅界面的势垒高度.还得出了包含电子俘获作用的栅电流随时间变化的关系式.由此关系式及(?)表达式推得热电子衬底电流与栅电流之间的解析表达式,从而解释了在栅电流较大的情况下此两电流之间的非线性对数关系.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7479915B0498236C8A713651F3DAB8C1&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=421C41B8FD4D3EBA&eid=BBA8B1249CDAA6CE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0