%0 Journal Article
%T MoNb-GaAs肖脱基势垒二极管的界面分析
%A 俞鸣人
%A 朱福荣
%A 王迅
%A 王滨崎
%A 邵凯
%A 卜积善
%A 雷传仁
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 在GaAs外延层上用电子束蒸发Nb及直流等离子体溅射Mo和Au的办法,制备了GaAs-Nb-Mo-Au结构的肖脱基势垒二极管.用XPS结合氩离子刻蚀测量了它的成分深度分布及界面特性,得到:当溅射Mo层厚度大于1000 A时,Au和GaAs之间的互扩散可以被阻挡住.Mo向Nb中的扩散使单独的Nb层不复存在,二极管成为GaAs-(Nb,Mo、Ga、As)-Mo-(MoAu)-Au结构.在界面过渡区中,Mo以金属形式存在,而Nb则同GaAs表面的天然氧化层反应后生成为低价的氧化铌.MoNb-GaAs肖脱基势垒比Mo-GaAs结构热稳定性好的原因,可能是同Nb氧化物的高生成热相联系的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=46DCBEFC7D1BB712953DCFE768015C54&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=E514EE58E0E50ECF&eid=BFE7933E5EEA150D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0