%0 Journal Article
%T SiO_2中电子束辐照产生的电子陷阱
%A 朱文珍
%A 常秀勤
%A 李月霞
%A 安贵仁
%A 宁华
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X <正> SiO_2中的陷阱在MOS短沟道器件的设计中是一重要限制,随着MOS集成电路集成度的提高,器件尺寸的缩小,必须考虑器件的热电子效应,SiO_2中陷阱的存在使热电子注入后器件性能发生变化,严重影响器件的稳定性、可靠性,另外电子束曝光、离子刻蚀、
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8AF405777F26D91466F6DD5F9989F5B2&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2001E0D53B7B80EC&eid=B6DA1AC076E37400&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0