%0 Journal Article
%T P埋层GaAs MESFET研究
%A 史常忻
%A 李晓明
%A 忻尚衡
%A 陈益新
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本文采用在半绝缘GaAs衬底中离子注入Be,于沟道有源层下引入P型埋层技术,制成P埋层GaAs MESPET(PB-GaAs MESFET).实验结果表明,PB-GaAs MESFET不仅使衬底上器件夹断电压的均匀性大为改善,而且使跨导增加,背栅效应减小.文中给出了PB-GaAsMESFET理论特性的计算和工艺设计.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=56AD8CBB85DDDB751E3BC402905FC53B&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=44FDB9366EDDFA2B&eid=A22854835F81B3F8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0