%0 Journal Article
%T MOS器件三维数值模拟
%A 陈大同
%A 吴启明
%A 王泽毅
%A 李志坚
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X <正> 随着半导体器件尺寸的不断缩小和结构的日趋复杂,常用的解析分析模型往往不能满意地描述器件特性.因此,七十年代以来,二维及三维数值模拟逐渐成为半导体器件研究中的一个重要工具.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8BFD6263FC32166093335B881DD10C7D&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=23410D0BDB501DF5&eid=389106FB36CA8332&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0