%0 Journal Article
%T 硅中锰施主能级Mn_i~(0/+)的光学性质研究
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文利用光电容瞬态技术,在不同温度下,首次测得了N型掺锰(Mn)硅中与Mn相关的Mn施主能级Mn_i~(o/+)(Ec-0.416eV)的绝对电子光电离截面谱图.对实验点的理论拟合表明:电子光电离截面(σ_n~o)可用简单的、作了修正的Lucovsky公式来描述.该能级的空穴光电离截面(σ_p~o),在实验系统灵敏度范围内,未检测到讯号.这意味着σ_p~o的极大值也不大于10~(-21)cm~2.该中心的热激活能E_t和电子的光电离截面闽值能量E_(10)的很好一致,以及σ_n~o不依赖于温度的实验事实说明了电子通过该能级跃迁时,不存在着同晶格的强耦合作用.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D8D4B71C0F469F20&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4081E94A71AB3C30&eid=240CB58995465C01&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0