%0 Journal Article
%T 三维CMOS集成电路工艺及其性能研究
%A 钱佩信
%A 马腾阁
%A 山静
%A 赵寅鹏
%A 陈必贤
%A 林惠旺
%J 半导体学报
%D 1986
%I 
%X 本文报道了一种三维(简写为3D)CMOS集成电路制造工艺及其性能.在P型单晶硅片上制作NMOS晶体管,在连续氩离子激光再结晶的N型多晶硅膜上制作PMOS晶体管,这两层器件之间用 LPCVD生长的二氧化硅层作隔离.已制成5μm沟道长度的9级3D-CMOS环形振荡器,每级门的延迟时间为2.7ns.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=847046973FB8F9B2&yid=4E65715CCF57055A&vid=DF92D298D3FF1E6E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=90773C2285A2F0BB&eid=4964C30D71DF45FF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0