%0 Journal Article
%T 强磁场下n型InSb杂质带及其电导的理论
%A 黄敏
%A 韩汝琦
%A 甘子钊
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 利用前人关于超强磁场下原子谱的理论结果,构造了强磁场下n-InSb中电子运动的哈密顿量,用构形平均方法计算了杂质带的零级谱、零级态密度函数以及体系发生Anderson转变的条件.计算结果和实验基本符合.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7FEA75BB1918C7D8316A41FE591BD002&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8DBE05486163BAB2&eid=E406B4E9A1BA9D8C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0