%0 Journal Article
%T 硼注入<100>硅残余缺陷的沟道研究
%A 邹世昌
%A 倪如山
%A 张祖华
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文用沟道背散射技术和透射电镜观察研究室温高剂量硼注入<100>硅的退火行为和残余缺陷.实验结果表明一步退火法不能完全消除注入引起的辐射损伤,在外延层中同时存在位错环和直接散射中心两种缺陷.用连续的剥层和测定沟道最低产额x_(min)的方法得到了直接散射中心的深度分布,按此分布用复次散射模型估算了直接散射中心对退道产额的贡献,从而分离开两种缺陷对退道的贡献.以B(?)gh公式为基础处理沟道谱的退道,实验得到的退道宽度λ值与Quere模型的理论预言基本相符.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2C4F918C0FAADC36695EDAADA3C08771&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2A8D03AD8076A2E3&eid=B91E8C6D6FE990DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0