%0 Journal Article
%T 离子注入CO_2激光退火硅中的深能级缺陷
%A 鲍希茂
%A 张新宇
%A 柳承恩
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 在注As硅中观察到7个深能级谱峰.CO_2激光退火是消除离子注入引入的深能级缺陷的有效方法.消除深能级缺陷的功率密度范围为 350W/cm~2-600W/cm~2与注入杂质激活的功率密度范围基本一致.功率密度高于600W/cm~2的CO_2激光扫描,在样品中引入比较单纯比较清洁的滑移位错.用DLTS测量,测得滑移位错的深能级为H(0.33eV).
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3AB9A7FFE7CABBF7B75668AF410A33DD&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=708DD6B15D2464E8&eid=13553B2D12F347E8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0