%0 Journal Article
%T 硅耗尽层少子产生率的强电场效应
%A 李志坚
%A 田立林
%A 马鑫荣
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 利用MOS C(t)特性系统地研究了强电场对硅耗尽层少子产生的影响.以Ieda等关于库仑中心电子发射率与电场强度的理论关系为基础,提出了一种对实验结果进行拟合的模型.该模型不仅满意地拟合了本工作的实验,而且合理地阐明了迄今文献中已发表的各种形式的非线性Zerbst实验曲线.结论是,产生率的强电场增强是硅中一个普遍效应,不论是对于高缺陷密度样品还是完整晶体样品,这一效应都是存在的.与深耗尽高频C(V)曲线的转折相对应,观察到了等效产生速度的跳变(突然增大).这一现象可用栅下高浓度区价带电子向耗尽区的隧道注入加以说明.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=79C9FA32804E7D9862181F2DC7852DA8&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=F3090AE9B60B7ED1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0