%0 Journal Article
%T 分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-GaAlAs异质结
%A 陈宗圭
%A 梁基本
%A 孙殿照
%A 黄运衡
%A 孔梅影
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 利用分子束外延技术制备了选择性掺杂的GaAs/N-AlGaAs异质结,22K时,该结构的迁移率达到 223,000cm~2/V.s,相应的薄层电子浓度为 5.7 × 10~(11)cm~(-2).在低温强磁场下,观察到异质结电子系统的二维SdH振荡特性和量子化Hall效应.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=02ADCA28CE424D21&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=B31275AF3241DB2D&sid=D02611D1F8166C9A&eid=780091CB32840698&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0