%0 Journal Article
%T SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析
%A 徐宝琨
%A 赵慕愚
%J 半导体学报
%D 1984
%I 
%X 本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=886035EB8734E1F4&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=94C357A881DFC066&iid=38B194292C032A66&sid=002786F01A86D891&eid=80BD0A2EF8664214&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0